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光刻工艺
镀膜工艺
刻蚀工艺
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PI工艺
PDMS工艺
TSV通孔
其他工艺

光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,利用曝光和显影在光刻胶层上刻画器件结构,再通过刻蚀工艺将掩膜上的图形转换到衬底上。原位芯片目前掌握电子束光刻,步进式光刻,接触式光刻等多种光刻技术.

技术应用


光刻技术主要应用于半导体器件,集成电路制造过程中。

工艺能力


 电子束光刻:最小线宽50nm,精度可达10%。  步进式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,曝光误差±0.1um,最大曝光面积6英寸。  接触、接近式光刻:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,曝光误差±0.5um

我们的优势


 根据客户需求,定制最具性价比光刻方案  精度高,线宽小  衬底尺寸范围1cm至6英寸  图形保真度高