漏电流Idss怎么影响选型 - 苏州原位芯片

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漏电流Idss：芯片选型的关键考量**
漏电流Idss，即漏极开路静态漏电流，是衡量MOSFET器件静态漏电性能的重要参数。它反映了在器件断开电源的情况下，由于栅极与漏极之间的电场作用，导致漏极电流的产生。Idss的大小直接影响到芯片的功耗...

2026-07-17